2010年春を目標に策定中の，SDメモリーカードの次世代仕様「SD Specification Version 4.00」（仮称）において，高速伝送用の専用端子を追加する案が浮上している。LVDSによる差動伝送を導入し，データの読み出し/書き込み用バス（以下，SDバス）の最大データ伝送速度を，現行の最大104Mバイト/秒から300Mバイト/秒まで引き上げるためだ。

　加えて，このシリアル伝送技術をSDIO仕様で利用可能にする。これにより，組み込み機器の内部バスにSDバスの利用を広げることを狙う。「具体的には，携帯電話機の内部バスがターゲット」（SD Associationの関係者）という。

『日経エレクトロニクス』2009年11月2日号より一部掲載

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