2010年春を目標に策定中の,SDメモリーカードの次世代仕様「SD Specification Version 4.00」(仮称)において,高速伝送用の専用端子を追加する案が浮上している。LVDSによる差動伝送を導入し,データの読み出し/書き込み用バス(以下,SDバス)の最大データ伝送速度を,現行の最大104Mバイト/秒から300Mバイト/秒まで引き上げるためだ。
加えて,このシリアル伝送技術をSDIO仕様で利用可能にする。これにより,組み込み機器の内部バスにSDバスの利用を広げることを狙う。「具体的には,携帯電話機の内部バスがターゲット」(SD Associationの関係者)という。