LSIの微細化と高集積化に伴い，段差被覆性（ステップ・カバレッジ）が高く原子レベルで膜組成を制御できる成膜技術への要求が高まっている。このため，従来のスパッタ技術やCVD（chemical vapor deposition）技術から，ALD（atomic layer depositon）技術への移行が進んできた。しかし，この移行にブレーキがかかった。トランジスタ形成（フロントエンド）工程では，32nm世代でLSI各社がALDを一斉導入する予定だったが，遅れる可能性が出てきた。メタル配線（バックエンド）工程では，22nmノードまでスパッタが延命，ALDには移行しない。