NAND型フラッシュ・メモリーの微細化限界を乗り越える技術の開発を，大手デバイス・メーカーが加速させている。NAND型フラッシュのメモリー・セルの3次元積層技術では，先行する東芝を韓国Samsung Electronics Co.， Ltd.が追撃し始めた。東芝は，2007年に開発した3次元積層技術である「BiCS（Bit-Cost Scalable）」の完成度を着々と高めている。NAND型フラッシュの微細化限界を超えられるReRAM（resistive RAM）では，BiCS型の3次元積層技術と組み合わせて大容量化を狙う成果が出てきた。
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