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HOME日経マイクロデバイス2008年4月号 > 「SGT」で半導体の次の20年をつくる

日経マイクロデバイス2008年4月号

「SGT」で半導体の次の20年をつくる

  • 大塚 知香=日経マイクロデバイス
  • 2008/03/26 13:25
  • 1/1ページ
 「半導体の次の20年の基盤をSGT(Surrounding Gate Transistor)でつくりたい」。DRAMやフラッシュ・メモリーの基本技術を生み出してきた舛岡富士雄氏は,“次なる夢”を語る。同氏は,この夢を共有できるパートナを2005年にアラブ首長国連邦のドバイ,2007年にシンガポールに見いだし,半導体のフロンティアの開拓に乗り出した。