「今後解決しなければならない技術課題は多い。しかし，メモリ・セルの積層技術を導入することでNANDフラッシュ・メモリは20nm世代以降も高密度化を継続できる」（韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.）。

　2007年12月10日～12日にかけて米国ワシントンD.C.で開催された半導体製造技術の国際会議「2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）」では，20～30nm世代を見据えた超高密度の不揮発性メモリが続々登場した。注目を集めた動きは二つある。一つは，フラッシュ・メモリのセル積層技術である。もう一つは，酸化物などの抵抗変化現象を利用した抵抗変化型メモリの進展で，NANDフラッシュ・メモリなどの代替を狙う。