「多段積層した高速DRAMの放熱特性は，世の中で考えられているほど悪くない。放熱面ではほぼ実用化のメドが付いた」（NECエレクトロニクス）。

　NECエレクトロニクス，OKI（沖電気工業），エルピーダメモリの3社によるチップ積層型の4GビットDRAMの開発が佳境を迎えている。3社が共同開発しているのは，8個の512MビットDRAMと1個の制御LSIを単一の半導体パッケージ内で積層したLSIである。