白物家電や産業機器，自動車などの電源回路やモータ駆動回路において，そろそろ「Si材料の限界」が見えてきたといわれるパワー半導体。次世代材料としてSiCやGaNが検討されているが，どちらが本命なのか絞り切れなかった。そんな状況の中，いずれの新材料も開発してきたロームが，今後のパワー半導体事業の方向性を明らかにした。「まず耐圧200V以下からGaNを，1kV以上にSiCを利用していきたい」（ローム 取締役 研究開発本部 本部長の高須秀視氏）とし，使い分けの方針を示した。さらに，その実現に向けたGaNデバイスの開発にも成功した。

　SiCやGaNを用いたパワー半導体は共に，理論的にはSi製のパワー半導体の限界を超える高い耐圧と小さいオン抵抗を達成できる。GaNを使った方がSiCよりも同じ耐圧でオン抵抗を約1/5にできるとされるが，現実にはGaNにポストSiを委ねるとは言い切れない。いずれの素子も電子移動度や絶縁破壊電界，熱伝導率といった物性値を，「極限まで引き出せていない」（ロームの高須氏）ためだ。