従来の65nm世代の論理LSIに比べて，ゲート密度は約2倍。動作時電力を約27％，待機時電力を約9％削減しつつ，回路の動作速度を約10％向上できる。

　Siファウンドリー最大手の台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，Ltd.（TSMC）は，45nm世代のプロセス技術に基づく論理LSIの量産を2007年9月に開始すると発表した。このプロセス技術を利用することで，機器メーカーはLSIの低消費電力化，性能向上，高密度化で微細化の恩恵を受けられそうだ。