記憶素子に相変化膜を用いた不揮発性メモリであるPRAM（phase-change random access memory）が離陸する。メモリ世界最大手の韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.が512Mビット品を開発，2008年初頭にも実用化する方針を明らかにした。現在，携帯電話機やデジタル民生機器などのプログラム格納用として広く使われているNORフラッシュ・メモリの代替を目指す。PRAMの研究開発は，米Intel Corp.や伊仏合弁STMicroelectronics社，米IBM Corp.なども進めているが，実用化ではSamsung社が先陣を切りそうだ。