韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.がNANDフラッシュ・メモリの大容量化でまたしても先陣を切った。2006年9月に，40nm世代の半導体技術で製造する32Gビット品を開発したと発表したのだ。NANDフラッシュ・メモリの容量を32Gビットに高めたことで，最大64Gバイトの小型メモリ・カードを実現できるという。これだけの容量があれば，DVD品質の映像を64時間以上，MP3形式の音楽なら約1万6000曲記録できるとした。

　Samsung社は1999年に256Mビット品を開発して以来，1年ごとにNANDフラッシュ・メモリの容量を倍増してきている。1年前の2005年9月には50nm世代に基づく16Gビット品を業界に先駆けて開発しており，今回，少なくとも32Gビット品まで従来通りのペースで大容量化できることを示した形だ。32Gビット品の量産開始時期は2008年とみられる。