国内撮像素子メーカーにてCCDとCMOSセンサの開発を手掛けた経験を持つ黒田隆男氏の講演内容を基に，本誌が整理した連載の2回目。今回は雑音が大きいという最大の課題をCMOSセンサが克服してきた経緯や，今後の発展の可能性について解説する。 （大槻 智洋＝本誌）
前回のCCDに続いて，最近急速に普及してきたCMOSセンサについて歴史と展望を解説する。CCDとCMOSセンサの最大の違いは，光を受けたフォトダイオードが生み出した電荷を読み出す方法にある。CCDと異なり，CMOSセンサには雑音が非常に少ない電荷転送に特化した回路がない。このため長年，CCDに対してS /N の面で劣っていた。
この一方でCMOSセンサにはさまざまな特徴がある。例えば，その名前が示すように，半導体として一般的なCMOSプロセス技術を使うため，製造設備の転用などによってコストを低減しやすい。さらにメモリなど，ほかの半導体でCMOSプロセスの微細加工技術が進歩するので，この恩恵を受けることができる。もちろん，CMOSプロセスで作る，撮像素子以外の回路を集積することも容易である。駆動電圧がCCDより低いので電力の消費も抑えられる。
