2005年12月5日～7日に米国ワシントンDCで開催された半導体製造技術関連の国際学会「2005 IEEE International Electron Devices Meeting（2005 IEDM）」では，論理LSI用の先端微細加工技術に関する発表が注目を集めた。ゲート長が10nm未満のトランジスタなど，5年以上先の実用を見据えた要素技術が登場する中，とりわけ参加者の関心が高かったのは，米Intel Corp.や米IBM Corp.らによる，低消費電力LSIに向けた65nm世代のCMOS技術に関する発表だった。

　パソコン用マイクロプロセサやネットワーク機器向けのASICなどの高速LSIを得意としてきた両社が，くしくも同じタイミングで低消費電力LSI用プロセス技術を発表したことになる。低消費電力LSIに最適化したプロセス技術を準備することで，高い市場成長率が見込める携帯電話機やデジタル民生機器に向けたLSI市場への本格参入を図る。