メモリに比べて微細化のペースは遅いものの、実は手詰まり感が最も強いのがマイクロプロセサやSoC（system on a chip）などの論理LSIである。メモリとは異なり、微細化に代わる決定的なコスト低減手法が存在しないからだ。そこで、論理LSIではまったく新しい製造技術の導入が切望されている。具体的にはEUV（extreme ultraviolet）露光と、Siウエハーの450mmへの大口径化だ。

　EUV露光は13.5nmという短い波長の光を使って線幅10nm台のパターンを1回で解像する技術。リソグラフィ・コストの上昇を抑える決定打になる。一方、450mmへの大口径化では、Siウエハー当たりのチップ取得数を増やすという方法でコスト低減を狙う。これらの技術を2010年代半ば～後半に実用化できれば、年間約30％というこれまでのコスト低減ペースを取り戻せそうだ。

　EUV露光と450mmウエハーをめぐる動きは、ここにきてにわかに活発化している。それを牽引するのは論理LSIの微細化で先行する3社、すなわち米Intel社と台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）、韓国Samsung Electronics社である。コスト低減の手段を失うことへの危機感が最も強いプレーヤーたちだ。