DRAMやフラッシュとは動作原理が異なる新型メモリーとして，PRAM（phase change RAM）を2008年に量産化する意向を示しています。

　2008年末～2009年初頭に量産を始めます。90nmの256Mビット品をサンプル出荷しており，量産品の仕様について2～3社と交渉中です。

PRAMの用途は何が有望ですか。

　当面はNOR型フラッシュの置き換えを狙います。競合のDRAMメーカーの多くがPRAMに“ポストDRAM”の期待を寄せていますが，われわれはやや慎重に見ています。DRAM代替に求められる1015回の書き換え回数がまだ見えていないからです。

競合の韓国Hynix Semiconductor Inc.と大容量メモリーを共同開発すると，2008年1月に発表しました。

　韓国政府が主導し，韓国Hanyang Universityを拠点とする「Tビット級メモリー開発プロジェクト」にHynixとともに加わります。このプロジェクトではTビット級を狙える新型メモリーがテーマになります。2008年度に始まるスピン注入型MRAM（magnetoresistive RAM）のプログラムで，同社と共同研究を進めます。