3段階で“ウエーハ・レベル・カメラ”へ進化
MEMSによるカメラ・モジュールの製造革新は3段階で進む。いずれの進化にもMEMS加工技術が貢献する。貫通電極形成，基板接合，樹脂レンズのウエーハ・レベル形成である。
第1段階は，貫通電極の採用を契機に2008年ごろに始まる。イメージ・センサー・チップのガラス封止，貫通電極や再配線層，ハンダ・ボールの形成をウエーハ・レベルで実施する。
第2段階になると，複数枚のレンズを組み合わせたレンズ・ユニットをウエーハ・レベルで製造する。2枚のレンズ基板をウエーハ・レベルで製造し，スペーサや赤外線遮断フィルタ，レンズ用キャップとウエーハ・レベルで接合する。この部分を個片化した後に，イメージ・センサー・チップ上へ個別に実装する。これは，レンズ・ユニットとイメージ・センサーの面積が異なることと，レンズ・ユニットの歩留まりが低いことによる。
第3段階では，レンズ・ユニットとイメージ・センサー・ユニットのすべてをウエーハ・レベルで接合する。これは，“ウエーハ・レベル・カメラ・モジュール”であり，究極の姿といえる。イメージ・センサー上に，レンズ，スペーサ，レンズ用キャップなどを順にウエーハ・レベルで接合してカメラ・モジュールとする。それから最後に個片化する。
まずはイメージ・センサー回りから変革
このような進化に合わせて，イメージ・センサー・メーカーによるカメラ・モジュール製造・組み立ての内製化が始まった。
第1段階である，イメージ・センサー・チップのガラス封止，貫通電極や再配線層，ハンダ・ボールのウエーハ・レベル形成が量産レベルで2008年に始まる。これによって，組み立て工程が委託から半導体メーカーの内製に切り替わる（図4）。例えば，東芝は，貫通電極を採用したイメージ・センサーをグループ内での一貫生産に切り替えた。従来は外部に委託していた。一部ではあるが，部品を個別に組み立てていた方法から，半導体メーカーにとってなじみの深いウエーハ・レベルでの処理に変わったためである。
