PrimePACK3+
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PrimePACK3+を使ったデモ
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IGBT5の説明
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.XT技術の説明
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ドイツInfineon Technologies社は、IGBTとsuper junction型MOSFET（SJ-MOSFET）「CoolMOS」の次世代品を「PCIM Europe 2015」に出展した。
Infineon社のIGBTチップの最新世代は「IGBT5」である。最大接合温度が＋175℃と、前世代品の「IGBT4」に比べて25℃高くなった。このIGBT5と第5世代のダイオード、および「.XT」と呼ぶ新しいパッケージング技術を組み合わせた産業用パワーモジュール「PrimePACK3+」を開発した。従来のPrimePACK3と同じ実装面積（フットプリント）を維持しつつ、出力電流を30％ほど高めた点を特徴にうたう。例えば、耐圧1200V品と1700V品では、IGBT4を利用した際の出力電流は1400Aだったが、IGBT5の適用によって1800Aに高めた。
耐圧が1200～1700Vの品種を用意する。PCIM Europe 2015で見せたのは、耐圧1200Vで出力電流が1200Aのものと、耐圧1700Vで出力電流が1800Aのものである。今後、1200V品は1500Aと1800A品を、1700V品は1200Aと1500A品を拡充していく予定だ。
