PCIM Europe 2015

中国パワーデバイス企業がドイツに研究開発拠点、狙いは欧州の先端技術か

　パワー半導体市場の長期的な成長が見込める中、日本以外のアジア企業も力を入れ始めている。中でも大手とされるのが、2005年に立ち上がった中国StarPower Semiconductor社である。主に、SiのパワーMOSFETやIGBTを外部から調達し、パワーモジュールとしてパッケージングし、販売し…

SiCを見据え、高出力モジュールの次世代仕様で主導権争い

4社が提案

　2015年5月に開催されたパワー素子やパワーエレクトロニクス機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2015（以下、PCIM）」では、耐圧1.2k～6.5kVで電流100Aを超えるような、産業用の高出力パワーモジュールの分野で大手企業による次世代品の提案が相次いだ。スイスABB社や…

ベースプレートを省いた、三菱電機の産業用IGBTモジュール

標準品と樹脂封止品を用意

　三菱電機は、同社の最新世代である第7世代のIGBTを搭載した産業用パワーモジュールを開発した。新しい世代のIGBTを採用すると共に、新しいモジュール構造を適用。パワーモジュールでは一般的な「ベースプレート」と呼ばれる金属板を省いたのが特徴である。

出力50％増、富士電機の新しい産業用IGBTモジュール

IGBTチップの世代を刷新

　富士電機は、新しい世代のIGBTチップを搭載した産業用パワーモジュールを開発し、「PCIM Europe 2015」に出展した。同社は同チップを第7世代品と位置付ける。パワーモジュールとしての特徴は、出力電流を50％高めたことである。具体的には、横107.5mm×縦45mmの「EP2」と呼ぶモジュ…

「IoT見据えた」パワーモジュール、認証機能や保護機能を強化

Infineonが開発、再生可能エネルギーシステムや産業機器向け

　ドイツInfineon Technologies社は、「IoT時代に適した機能を搭載した」とするパワーモジュール「MIPAQ Pro」を開発し、「PCIM Europe 2015」に出展した（発表資料）。特徴は、認証機能や保護機能を強化した点である。太陽光発電システムや風力発電システムといった再生…

これがGaNパワー素子を“生かす道”、Infineonが見解示す

耐圧800V以下で適用、出力1kW超はノーマリーオフで

　ドイツInfineon Technologies社が、米International Rectifier（IR）社を買収した際に手に入れたものの1つが、IR社のGaNパワー素子製品である。現行のSi（シリコン）に続く次世代のパワー半導体としてInfineon社が注力していたのは、GaN（窒化ガリウム…

「他社の両面冷却品とはひと味違う」、東芝の低耐圧MOS

東芝は、ノートパソコンといったデジタル家電向けの低耐圧MOSFET「U-MOS」の新製品を発表し、「PCIM Europe 2015」。表裏両面に放熱経路を備えた両面冷却型のSOPパッケージに封止したことと、U-MOSチップに新世代品を採用したことを特徴にうたう。パッケージサイズは6mm×5mmであ…

自動車や白物家電へ、活躍の場を広げる「RC-IGBT」

三菱電機や富士電機が採用

IGBTとダイオードを1チップ化した「RC-IGBT」の利用が今後増えそうだ。実際、「PCIM Europe 2015」では、RC-IGBTを利用したパワーモジュールの発表が相次いだ。

SiCやGaN、IGBTモジュールの最新成果が集う

「PCIM Europe 2015」が開幕へ

　パワー素子やパワーエレクトロニクス（パワエレ）機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2015」が、ドイツ・ニュルンベルクで2015年5月19日（現地時間）に始まる。会期は同年5月21日までである。同イベントでは、毎年5～6月ごろに開催されており、パワー素子や同素子を利用したパワエ…

8mm角と小さい耐圧600VのGaNパワー素子

パナソニックが開発

　パナソニックは、8mm×8mm×1.25mmと小さい、耐圧600VのGaNパワー素子を開発した。このサイズは「業界最小」（同社）だという。パッケージは表面実装型のDFNである。同パッケージの寄生インダクタンス成分は1nHと小さいので、200V/ns以上の高速なスイッチングが可能になるという。