「ISSCC 2014」では、NANDフラッシュメモリー（16nm世代）、SRAM（14nm世代）、混載DRAM（22nm世代）とプロセスノードが一気に進展した感があった。「ISSCC 2015」では、テクノロジドライバーであるSRAMのプロセスノードは更新されなかったものの、NAND（15nm世代）や混載DRAM（14nm世代）に進展がみられた。

　メモリ分野のセッションは2本立て。計14件がフルペーパーとして発表され、ISSCC 2014（2.5セッション）に比べて、発表件数自体は減った。

　2月24日には開催されたSession7「Non-Volatile Memory Solutions」では、日本からの発表（4件）が集中した。「SMALL CHIPS for BIG DATA」という今回の学会テーマにふさわしく、クラウド時代を牽引するメモリー技術が発表された。

　NANDに関しては、ISSCC 2014に引き続いて韓国Samsung Electronics社が3D（3次元）NANDを発表した（講演番号7.2）。メモリーセルをMLC（2ビット/セル）からTLC（3ビット/セル）に進化させるとともに、積層数を24層から32層に向上させた。単位面積当たりの記憶容量は1.85Gビット/mm2となり、HDD（1.33Gビット/mm2）を初めて上回ったとする。Charge-Trap Flash（CTF）の特徴を生かした高速書込み動作も実現し、クラウド時代のストレージの主役に名乗りを上げた感がある。

　対して東芝は、低電圧（1.8V）で動作可能で書き込み（30Mバイト/s）と読み出し（533Mバイト/s）のスループットが高い15nm世代のMLC NANDを発表した（講演番号7.1）。容量拡大路線とは異なり、eMMCなどのNANDソリューションのための高速・低電力の両立に向けたアプローチである。3次元化とともに、NANDの進化継続に向けたクラウド時代にふさわしい取り組みだ。