半導体デバイス技術に関する世界最大規模の国際会議「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）が米国時間の明日、2013年12月9日に開幕する。登録者数は会期前日の12月8日午前時点で1260人。会期を通じて1400～1500人の参加を見込んでいる。前回ワシントンD.C.で開催された「IEDM 2011」の参加者数は1465人で、これとほぼ同等になる見通しだ。
開幕に先立ち、12月8日には二つのショート・コースが開催された。一つは、10～7nm世代のCMOS技術を議論する「Challenges of 10nm and 7nm CMOS Technologies」で、登録者数は330人。伊仏STMicroelectronics社や米GLOBALFOUNDRIES社、ベルギーIMECなどから講師が登壇した。もう一つは、トンネルFETやスピントロ二クスなどの“Beyond CMOS”技術を議論する「Beyond CMOS： Emerging Materials and Devices」。登録者数は232人で、米Intel社や米IBM社などの技術者が講師を務めた。
会場で配布されたプログラムでは、恒例の「Late News」の内容が明らかにされた。今回は次の3件である。IBM社は多段構成の高速グラフェン・レシーバIC技術を披露する（講演番号19.9）。イタリアPolitecnico di Milano and IU.NETと米Micron Technology社などのグループは、相変化メモリ（PCM）アレイにおけるデータ保持特性の統計的解析の結果を報告する（同21.7）。シンガポールNational University of Singaporeと台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）のグループは、10nm以降の技術世代に向けた高性能Ge CMOS技術について発表する（同26.7）。
