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半導体製造 プロセス技術や工場の動向を知るための
 

「28nmプロセスの量産体制は整った」、中国SMICが微細化でのキャッチアップを訴求

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2013/12/05 06:00
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講演の様子
講演の様子
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 中国最大手の半導体ファウンドリーであるSMICのCEOを務めるTzu-Yin Chiu氏は、「SEMICON Japan 2013」(2013年12月4~6日、幕張メッセ)会期初日に開催された「GSAフォーラム」に登壇した。同氏は、SMICが米国の大手ファブレス企業を顧客としていることや、米Intel社や韓国 SK Hynix社が中国に300mmファブを持つことなどを例に挙げて、日本企業と中国半導体産業との結び付きが相対的に弱いことを指摘。今後は、日本企業と強固なパートナーシップを構築していきたいと述べた。同氏がアピールしたのは、SMICの微細化開発への注力ぶりである。

 SMICでは長く赤字体質が続いてきたが、ここにきて四半期ベースで安定して黒字が出る体質が根付いてきたという。そして「この利益を28nm世代以降の微細化開発に回している」(Chiu氏)。同社は論理LSI向け40nmプロセスの量産を2012年10~12月に始めており、2013年7~9月期の売上高に占める45/40nmプロセスの比率は15.7%に達した。続く28nmプロセスについては「顧客による認定が2013年末までに完了する見込みで、2014年に量産を開始する」(同氏)とした。28nmプロセスでは、高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲートを用いるプロセスと、多結晶Siゲート・プロセスの両方に対応する。

 さらに同社は、20nm世代以降に向けてFinFETプロセスの開発を進めているという。20nm世代以降のプロセスの量産開始は2016年4~6月を予定している。この他、38nm世代のメモリ技術(NANDフラッシュやNORフラッシュ)を開発中であるなど、論理LSI向け以外のプロセス技術でも微細化開発を着実に進めていると話した。

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