• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエネルギーICSCRM 2013 > V字型溝で移動度を高めたSiC MOSFETを住友電工が発表

ICSCRM 2013

V字型溝で移動度を高めたSiC MOSFETを住友電工が発表

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/11/01 20:29
  • 1/1ページ
 住友電気工業は、ゲート部にV字型の溝を掘ったSiC MOSFETを試作し、SiC関連の国際学会「ICSCRM 2013」(宮崎県、2013年9月29日~10月4日開催)で発表した。ゲート部に溝を掘る一般的なトレンチ型MOSFETの場合、溝の側面は素子の表面に対して垂直だが、住友電気工業の試作品はV字型のため、溝の側面は素子表面に対して斜めになる。

トップページへ

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓