SiCパワー半導体関連の国際学会「ICSCRM 2013」（2013年9月29日～10月4日、宮崎県フェニックス・シーガイア・リゾート）の会期2日目に開かれたセッションMo-2A「Solution Growth & Others」では、溶液法によるSiC結晶成長に関する成果が相次いだ。溶液法は、Siの融液にC（炭素）を溶け込ませ、液相状態から結晶を引き上げる手法である。熱平衡状態でSiC結晶を成長できるために現行の気相法（昇華法）に比べて結晶品質を高めやすく、結晶の成長速度も1mm/時を超える水準に高められるとされる。液相での結晶成長はSiでは既に標準技術だが、SiCでも最近、注目度が高まっている。
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