2013 VLSI
The 2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits、2013年6月11～14日に京都にて開催
目次
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【VLSI】Samsung、7nm世代までの立体トランジスタ技術の指針示す
韓国Samsung Electronics社は、FinFET（立体トランジスタ）を用いる14nm世代以降の論理LSI向けプロセス技術について、「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）で講演した（講演番号：T7-2）。チャネルのキャ…
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【VLSI】STが28nm世代FDSOI技術の詳細を明らかに、基板バイアスを駆使し2.6GHzで動作
伊仏STMicroelectronics（ST）社は、28nm世代のFDSOI（完全空乏型SOI）トランジスタ技術で製造したプロセサ・コアの動作特性を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）で発表した（講演…
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【VLSI】CEA-Letiなど、Wide I/O DRAMとモバイルSoCの3次元積層結果について報告
仏CEA-Leti、スイスST-Ericsson社、伊仏STMicrolectronics社の共同チームは、TSV（Si貫通ビア）技術を用いてWide I/O DRAMとモバイルSoCを3次元積層した結果について、「2013 Symposia on VLSI Technology and Circ…
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【VLSI】Intelが22nm世代のDRAM混載SoC技術を発表、量産中のSRAMと同等の歩留まりを達成
米Intel社はトライゲート・トランジスタ（FinFET）技術を用いた22nm世代のDRAM混載SoC技術を開発し、「2013 Sympoium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）で発表した（講演番号：T2-1）。SoC混載メモリの集積密度としては過去最高…
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【VLSI】東芝、サンプル出荷を間近に控える3次元NAND「BiCS」について講演
東芝は、メモリ・セルを3次元方向に多段積層する次世代NANDフラッシュ・メモリ「BiCS（Bit Cost Scalable）」について、「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）で招待講演を行った（講演番号：T6-1）。登壇者は同…
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【VLSI】富士フイルムとパナソニック、88dBの高ダイナミック・レンジを実現できる有機CMOSイメージ・センサ技術を開発
富士フイルムとパナソニックは、88dBの高ダイナミック・レンジを実現できる有機CMOSイメージ・センサ技術を開発した（リリース）。明るいところでも白トビがなく、暗い被写体でも鮮明な映像を撮影できるという。
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【VLSI】TSMC、28nm世代のTSVプロセスにエアギャップ技術を導入
台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）はTSV（Si貫通ビア）のライナー絶縁膜にエアギャップ（空隙）を導入することで、TSVの寄生容量とTSV起因のストレスをそれぞれ抑制する技術を開発し、「2013 Symposia on VLSI…
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東芝が通信用ICのRF回路向けに新構造のトランジスタを開発、プロセサ・ユニットとの混載を狙う
東芝は、汎用CMOSプロセスを用いながら高効率な電力増幅を実現するトランジスタを開発したと発表した。このトランジスタを通信用ICのRFアナログ・フロントエンドに用いることで、通信速度を保ちつつ、動作時の消費電力を大幅に低減することができるとする。
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【VLSI】0.37V動作のSRAMや新原理の相変化メモリなど、LEAPが5件を発表
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は、0.4V程度の低電圧で動作する論理回路/メモリ/ストレージの実現に向けた要素技術5件を開発し、「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）で発表する。6月10日に東京都内で記者説明会を開催し…
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【VLSI】QualcommがモバイルSoC向けSTT-MRAM技術について講演、「16nm世代以降でのL3キャッシュとしての応用が有望」
「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）の開幕前日の2013年6月10日、スピントロニクスに関するサテライト・ワークショップ「2013 Spintronics Workshop on LSI」が開催された。…
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【VLSI】ルネサスが酸化物半導体でCMOSインバータを実現、LSI配線内に埋め込む
ルネサス エレクトロニクスは、酸化物半導体を用いたCMOSインバータ回路を論理LSIの多層配線内に埋め込むことに成功した。技術の詳細を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）で発表する（講演番号T17-3）…
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【VLSI】パナソニックが強誘電体メモリスタをCMOS回路上に集積、消費電力1/10でパターン認識に成功
パナソニック 先端技術研究所は、ニューラル・ネットワークへの応用が可能な強誘電体メモリスタをCMOS回路上に集積した結果について「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～14日、京都市）で発表する（講演番号T16-2）。講演タイトルは「Neural…
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【VLSI】東北大学とNEC、文字検索処理の消費電力を1/100に低減できる不揮発性CAMを開発
東北大学とNECの共同チームは、文字検索処理の消費電力を従来比1/100に低減できる不揮発性CAM（content-addressable memory）を開発した。詳細を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京…
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【VLSI】東北大学とNEC、SRAMと組み合わせて高速化したSTT-RAM技術を開発
東北大学とNECの共同チームは、書き込み速度を従来比20倍に高めたロジック混載向け不揮発性メモリ技術を開発した。詳細を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）で発表する（講演番号C9-4）。講演タイトルは「…
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【VLSI】TSVを用いた3次元FPGAなど、Circuitsの注目論文は10件
半導体集積回路技術に関する国際会議「2013 Symposium on VLSI Circuits」が2013年6月11～14日にリーガロイヤルホテル京都（京都市）で開催される（SCR関連記事1、同2）。3次元トランジスタ（FinFET）やTSV（Si貫通ビア）などの3D関連技術を用いたデジタル回…
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【VLSI】Intelの22nm世代混載DRAM技術など、Technologyの注目論文は9件
半導体デバイス・プロセス技術に関する国際会議「2013 Symposium on VLSI Technology」が2013年6月10～13日にリーガロイヤルホテル京都（京都市）で開催される（関連記事）。同学会の論文委員がプレス発表向けに選んだ注目論文は、以下の9件である。米Intel社の混載DR…
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【VLSI】6月に開催のVLSIシンポ、3次元LSIの量産技術が相次ぐ
半導体デバイス/回路技術の国際学会「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits（2013 VLSI Symposia）」が2013年6月10～14日にリーガロイヤルホテル京都（京都市）で開催される。VLSI Symposiaは半導体デバイス技術を扱う…