2013 VLSI

【VLSI】SamsungのシステムLSI事業担当の副社長、モバイル機器向け半導体技術のトレンドを語る

　韓国Samsung Electronics社 Executive Vice President, Sales & Marketing Team, System LSI BusinessのS.W. Jeong氏は、「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12…

【VLSI】有線通信分野は次世代に向けて10Gビット帯への高速化が進む

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）では、Session 19「Clocking and Memory Interface」とSession 22「Wireline transceiver」の2つのセッションで、有線通信技術が発表…

【VLSI】ミリ波CMOSトランシーバで低電力フェーズドアレイ技術が一堂に会する

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」のSession 24「Millimeter Wave Transceivers and Systems」では、ミリ波、サブテラヘルツ波の分野でフェーズドアレイ技術を用いた低電力トランシーバ回路技術の報告が相次いだ。フェーズドアレイ…

【VLSI】MOSFETの雑音を広い周波数域で簡便に計測する技術、筑波大学などが開発

　筑波大学 数理物質系 准教授の大毛利健治氏らの研究グループは、LSIに形成したトランジスタ（MOSFET）の雑音を広い周波数域にわたって簡便に計測する技術を開発し、「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）で…

【VLSI】IBMとEPFL、8.8Gサンプル/秒を35mWで実現するSAR型8ビットA-D変換器ICを開発

　スイスIBM Research-ZurichとスイスEPFLのグループは、8.8Gサンプル/秒という高いサンプリング速度を消費電力35mWで実現する逐次比較（SAR）型の8ビットA-D変換器ICを開発し、「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日…

【VLSI】ソフトウエア無線やセンサ・ノード用無線トランシーバで低電力技術の提案が相次ぐ

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」のSession 11「Low Power Wireless」では、ソフトウエア無線およびセンサ・ネットワーク用無線等のトランシーバ回路に関して、消費電力を大幅に削減する技術が発表された。前半の2件は、ソフトウエア無線、マルチスタン…

【VLSI】完全デジタルPLLは通信用途向けの超低ジッタ技術に進化

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）のSession 15「All Digital Phase-Locked Loops」では、近年ますます高速化が進む通信用途向けに、高速の完全デジタル・クロック発生器（all digital p…

【VLSI】新型不揮発メモリ技術は“特定用途向け”の発表が増加

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」のSession 9「Emerging Memories」では、新型メモリ技術を用いたキャッシュ用メモリ、混載メモリ、検索用の機能付メモリTCAM（Ternary Contents Addressable Memory）の発表があっ…

【VLSI】SRAMのジョイント・セッション、デバイスと回路の両面から低電圧動作が焦点に

　「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）では、SRAMをテーマとするジャンボ・ジョイント・フォーカス・セッション（Jambo Joint Focus Session）が開催された。Technology側から…

【VLSI】SOIプロセスは高速A-Dに必須か？IBMが10GHz動作の超小型SAR型A-D変換器を発表

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）のセッション21では、4件のナイキストA-D変換器と1件のD-A変換器に関する発表があった。ナイキストA-D変換器のうち3件はSARタイプで、1件はフラッシュ・タイプである。今回の発表で最も注目…

【VLSI】フィンFETは次世代へのスケーラビリティに関するデバイス技術が焦点に

　米Intel社が業界に先駈けて2012年にフィンFETを量産化したことを契機に、CMOSトランジスタはいよいよプレーナ（平面）構造から立体チャネルの時代へ移行した。そのことを裏打ちするかのように、「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京…

【VLSI】注目集めたLate Newsセッション、化合物半導体MOSFETで世界最高の性能が報告される

　「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）の最終日、6月13日の午後に行われたSession 17「Late News」について記載する。Symposium on VLSI TechnologyでLate Newsが設定されて今年で…

【VLSI】パイプライン型A-D変換器は異分野の技術を巧みに採り入れた成果が相次ぐ

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）のセッション8「Pipeline ADCs」は、基調講演直後というタイミングの良さもあったと思われるが、会場は満員で立ち見が出るほどの盛況だった。各論文に対して活発な質疑応答が繰り広げられ、時間…

【VLSI】Intelが22nm世代のスイッチト・キャパシタ型オンチップ電源回路を発表

チップ面積の増加はわずか3.6％、応答速度は5ns以下

　米Intel社は、トライゲート・トランジスタ（FinFET）技術を用いた22nm世代のオンチップ電源回路を開発し、「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）で発表した（講演番号：C13-5）。講演タイトルは「A 0.45-1V Full…

【VLSI】20nmクラスの先端プロセス対応FinFET SRAM技術などが続出

　「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」（2013年6月11～14日、京都市）のJumbo Joint Focus Session 2 - SRAMでは、合計9件の発表が行われた。9件の内訳は、Technologyの委員会で採択された20nm世…

【VLSI】新規アーキの発表が相次ぐΔΣモジュレータ・セッション、高性能化では従来アーキに軍配

　「2013 Symposium on VLSI Circuits」（2013年6月12～14日、京都市）のセッション5では5件のΔΣモジュレータに関する発表があった。それぞれの発表で、特徴的なアーキテクチャが提案され興味深い内容であったが、従来性能を大きく書き換えるようなアイデアではなく、全体とし…

【VLSI】Technologyのハイライト論文は22nm世代の混載DRAMから有機イメージ・センサまで多彩

　「2013 Symposium on VLSI Technology」（2013年6月11～13日、京都市）の初日の午前中には、2件の基調講演に続いてハイライト論文のセッションが開催された。選ばれた論文は4件である。