SRAMのバラつき対策技術が集まる，6トランジスタ型の限界を追求
「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 5「SRAM Variability」では，SRAMの特性バラつきに向けた回路技術が集まった。（記事を読む、06/20 16:23）
超高速，低電力，65 nm世代のA-D変換器が登場
「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 2 「High-Speed Data Converters」は，5ビット～6ビットの分解能で1 G～10 Gサンプル/秒の高速なアナログ・デジタル変換（ADC）を，6…（記事を読む、06/20 15:35）
米Aptina Imaging，4K2Kを60フレーム/秒で撮影可能な1.25型CMOSセンサを発表
米Micron Technology, Inc.の Aptina Imaging部門は，4112×2168画素（約890万画素）の1.25型CMOSイメージ・センサ「MT9E501」を発表した。日本放送協会（NHK）のスーパーハイビジョンを目指すプ…（記事を読む、06/20 10:27）
NECエレの40nm世代SRAM，high-k膜でバラつき抑え低電圧動作を可能に
NECエレクトロニクスは，MOS FETのしきい電圧のバラつきを低減する手法を開発し，「2008 Symposium on VLSI Technology」で発表した（講演番号16.2）。MOS FETのゲート絶縁膜の組成を制御することにより，チャ…（記事を読む、06/20 05:00）
「Technology」は新分野の発表が増加，「Circuits」との交流を深める試みも
「2008 Symposium on VLSI Technology」では，前回（2007年）に比べて，メモリーとバラつきに関する発表が増えたほか，新型トランジスタ，ナノワイヤー，カーボン・ナノチューブ（carbon nanotube），グラフェン…（記事を読む、06/19 22:43）
