「業界最高のQ値」，1.8V動作のMEMS共振器をパナソニックとIMECが共同開発
パナソニックとベルギーIMECは，共振の鋭さを表すQ値で「業界最高」（2010年12月7日時点，パナソニック調べ）の低電圧駆動MEMS共振器を共同開発したことを発表した。開発の技術の一部は，「2010 IEEE International Elec…（記事を読む、12/07 17:07）
ナノワイヤ・トランジスタの駆動力を東芝が58％向上，歪みSi技術の導入で
東芝は，ナノワイヤ・トランジスタに歪みシリコン（Si）技術を適用することで，駆動力を58％できることを実証した。この成果は，「2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）」（…（記事を読む、12/07 17:01）
IntelがGeチャネルFETを披露，0.5V駆動の論理LSIを目指す
米Intel Corp.は，Geをチャネルに用いたp型FETを開発した（講演番号6.7）。Geチャネルにひずみを加えることにより，ひずみSiチャネルを使う現行のp型FETをしのぐ正孔移動度を得ている。別途開発を進めているIII-V族半導体チャネルを…（記事を読む、12/07 16:34）
III-V族チャネルFETで独走するIntel，今回はマルチ・ゲート型を発表
米Intel Corp.と米IQE Inc.は共同で，マルチ・ゲート構造のIII-V族半導体チャネルFETを開発した（講演番号6.1）。チャネルの制御性を高めた結果，平面構造のIII-V族半導体チャネルFETに比べて，SファクタやDIBL（drai…（記事を読む、12/07 16:10）
200GHz超えのグラフェンFET ，SamsungやIBMから発表相次ぐ
「IEDM 2010」の開幕初日のセッションでは，遮断周波数が200GHzの大台を超えるグラフェンFETの発表が，韓国Samsung Advanced Institute of Technology（SAIT）や米IBM Corp.から相次いだ。い…（記事を読む、12/07 15:25）
Intel・Micronが25nm世代の64GビットMLC NANDフラッシュ発表，「量産品で最小のセル面積を達成」
米Intel Corp.と米Micron Technology，Inc.は，25nm世代の製造技術を利用した64GビットのMLC（multi level cell）NANDフラッシュ・メモリを「IEDM 2010」で発表した（論文番号5.2）。（記事を読む、12/07 14:00）
15nm世代のCMOSはどうなるか，ショート・コースは立ち見も出る異例の大盛況に
半導体製造技術関連の国際会議「2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）」の開幕前日に当たる2010年12月5日（日）に，「15nm CMOS Technology」と題され…（記事を読む、12/06 14:41）
明日から開幕，景気回復を受け参加者は1500人を上回る見通し《訂正あり》
半導体デバイス技術関連で最大規模の国際会議「2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）」が米国サンフランシスコで2010年12月6日に開幕する。開幕前日の12月5日までの登…（記事を読む、12/06 07:38）
