• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスネプコン ジャパン / オートモーティブ ワールド 2013 > 【ネプコン】SiCのダイボンディングを無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術をニッシンが開発

ネプコン ジャパン / オートモーティブ ワールド 2013

【ネプコン】SiCのダイボンディングを無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術をニッシンが開発

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/21 19:37
  • 1/1ページ
 プラズマ処理装置などを手掛けるニッシン(兵庫県宝塚市)は、SiCパワーデバイスのダイボンディング(リードフレームへのSiCチップの接合)を無加圧、短時間で実現するプラズマ金属接合技術を開発し、その実験機「Micro Labo-PS3」の販売を2013年1月1日から開始する。詳細を2013年1月16~18日に東京ビッグサイトで開催される「半導体パッケージング展」に展示する。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ