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HOMEエレクトロニクス電子デバイスIEDM 2012 > 【IEDM】SSDを高速・低電力に、NAND並みの大容量PRAMに向けた素子技術をLEAPが開発

IEDM 2012

【IEDM】SSDを高速・低電力に、NAND並みの大容量PRAMに向けた素子技術をLEAPが開発

  • 大下 淳一=日経エレクトロニクス
  • 2012/12/11 09:30
  • 1/1ページ
 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、NANDフラッシュ・メモリ並みに大容量なPRAM(相変化メモリ)の実現につながる記憶素子技術を開発した(論文番号31.4)。データセンターなどで使われるSSDの記憶媒体をNANDフラッシュ・メモリからPRAMに置き換えることで、SSDを高速・低電力化することを狙う。
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