• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2013 > 【ISSCCプレビュー】メモリ:ReRAMが32Gビットに飛躍、SRAMは20nmの最小セル面積品が登場

ISSCC 2013

【ISSCCプレビュー】メモリ:ReRAMが32Gビットに飛躍、SRAMは20nmの最小セル面積品が登場

  • 山内 忠昭=ルネサス エレクトロニクス
  • 2012/12/03 16:30
  • 1/1ページ
 「ISSCC 2013」のメモリ分野では、前回に引き続いて微細化と大容量化が一層進む。特に、新型不揮発性RAMの有力候補の一つであるReRAM(抵抗変化型メモリ)の大容量化が目覚ましい。DRAMインタフェースでも、高速化技術の提案が相次ぐ。

トップページへ

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓