半導体デバイス 半導体デバイスの最新情報・トレンドを知る
 

NANDフラッシュメモリー

最も微細化が進んだ半導体がついに「技術の大転換期」へ

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2014/01/30 00:00
印刷用ページ
図1●Flash Memory Summit 2013においてSamsung社が発表した、3次元NANDフラッシュメモリー「V-NAND」のチップ写真とメモリーセル断面写真
図1●Flash Memory Summit 2013においてSamsung社が発表した、3次元NANDフラッシュメモリー「V-NAND」のチップ写真とメモリーセル断面写真
[クリックすると拡大した画像が開きます]

 スマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器の記憶媒体を一手に担い、サーバー機などでもHDDから主役の座を奪いつつある半導体デバイス。それがNANDフラッシュメモリーである。このデバイスは今、技術進化の大転換期を迎えている。過去20年以上にわたり大容量化と低コスト化を牽引してきた微細化技術に、いよいよ限界が迫っているのだ。NANDフラッシュメモリーは、論理LSIやDRAMなどを含むあらゆる半導体の中で、最も微細化が進んでいる。その結果、いち早く微細化の限界に直面しているというわけである。

 従来のNANDフラッシュメモリーは、電子を蓄積するメモリーセルの寸法を平面(2次元)方向に縮小する方法で、大容量化と低コスト化を進めてきた。現在、メモリーセルの最小加工寸法は16nm世代まで縮小されている。ところがこれ以上微細化しようとすると、製造コスト(リソグラフィ・コスト)の高騰により容量当たりの単価(ビット単価)が下がらないことに加えて、物理的な限界からメモリーセルが安定に動作しなくなるとされる。

 こうした技術限界を乗り越え、NANDフラッシュメモリーの大容量化と低コスト化を継続する手段になると期待されているのが、3次元NANDフラッシュメモリーである(図1)。この技術は今、まさに実用化を間近に控えている。

ここから先は日経テクノロジーオンライン会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の会員登録ボタンをクリックして、会員登録を完了させてからご参照ください。会員登録は無料です。

【9月15日(火)開催】触るインタフェース(応用編)
~ウエアラブルと身体性から読み解く次世代インタフェース~


ウエアラブルデバイスで触覚情報を利用するための基礎と最新技術や、全身触覚と身体性に着目した新しい触覚インタフェースの新潮流について解説する。この分野に精通する3人の講師が、様々な研究開発例とその実装方法を紹介する。詳細は、こちら
会場:BIZ新宿 (東京・西新宿)

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング