今，TFT技術は熾烈な開発競争を迎えている。特に次世代有機ELディスプレイ用のTFT開発は，戦国時代と言ってもいいくらいの様相である。その理由は，現在有機ELで広く用いられている低温多結晶Si（LTPS）TFTは第4世代（G4）までしか量産装置が無く，今後パソコン用やテレビ用へのニーズに対応できないからである。一方，液晶ディスプレイで広く用いられているアモルファスSi（a-Si）TFTはしきい電圧（Vth）がシフトしてしまうため，電圧を電流に変換して駆動する有機EL用の画素にはそのままでは使えない。そこで，LTPSと同等の信頼性を持ち，大型基板に対応できる次世代TFTが渇望されているのである。

表１　有機ELディスプレイ駆動用TFTの比較
表中の◎○△×は，各技術の現在の完成度を著者が示したものであり，各技術のポテンシャルを示したものではない。
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　表1は，これまでに有機ELパネルの試作に採用された主なTFT技術を比較したものである。このうちLTPS，SPC，SGS，SLSなどは，本来は多結晶Siとしてまとめても良いのだが，製造方法によって特徴が大きく異なるため，この表では分けて示してある。また，酸化物TFTにも様々な素子があるが，ここでは実際パネルの試作に広く利用されているアモルファスInGaZnO（以下IGZOと略記）を代表例として挙げてある。なお，これ以外にも有機TFTで有機ELパネルを試作した例があるが，まだ量産を議論する段階にはないと思うので，この表からは外してある。