著者｜
竹内 健 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授
図1 各種メモリのアクセス時間
NANDフラッシュ・メモリの応用製品は、従来のスマートフォンやタブレット端末といった携帯端末やパソコンから、データセンターのストレージに移行する。“ビッグデータ”と呼ばれるように、人に加えて、実世界の多様な情報（Internet of Things：機器や機械の挙動、位置・移動、購買、医療・健康、気温・湿度などの情報）がネットワーク上を行き交うようになり、情報量は爆発的に増大する。現在のインターネットを用いたITサービスに欠けているのは、“時間の概念”である。インターネット上に、ありとあらゆる情報が蓄積されるようになったにもかかわらず、検索結果を時間軸で並べ替えることさえできない。
図2 不揮発性メモリの容量トレンド
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今後は、さまざまなデータベースを基に、リアルタイムに情報を処理するニーズが高まる。リアルタイムのデータ処理を実現する上でボトルネックになっているのが、ストレージ（HDDやフラッシュ・メモリ）へのアクセス性能の低さである（図1）。抵抗変化型メモリ（ReRAM）や磁気メモリ（MRAM）、相変化メモリ（PRAM）、強誘電体メモリ（FeRAM）といったストレージ・クラス・メモリ（SCM）は、ストレージとDRAMの間の性能ギャップを埋める。フラッシュ・メモリやストレージ・クラス・メモリを積極的に活用することでストレージのアクセス・ボトルネックを解消し、高速でリアルタイム性に優れたビッグデータのサービスが実現すると期待される。以下では、実用化レベルにまで開発が進んできたストレージ・クラス・メモリのアプリケーションについて述べる。
