マイクロデバイス用語
目次
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SystemVerilog
LSI 設計で使うハードウェア記述言語「Verilog ―HDL」を拡張した「SystemVerilog」が,IEEE tandard 1800 として2005年11 月に標準化された。
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部品内蔵基板
ブヒンナイゾウキバン
厚さ10mm以下の薄い携帯電話機の発売が相次いでいる。こうした携帯機器の薄型化や小型化に威力を発揮するのが,LSIや受動部品をプリント基板に内蔵する部品内蔵基板である。海外では米Motorola,Inc.が1999年から同社の携帯電話機に利用してきたが,日本でも携帯機器への搭載が始まった。2007年…
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SOI
エスオーアイ
絶縁体の上にSiを形成したウエーハ構造。通常のバルク・ウエーハは,全体がSiの結晶であるのに対し,SOIウエーハは活性層の直下が絶縁層になっているため,次のような特徴を持つ。まず通常のデバイスでは,寄生容量が減って動作速度の向上や低消費電力化,ソフト・エラー耐性の向上などが達成できる。高耐圧素子では…
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Image Safety
イメージセーフティ
「Image Safety」について,国際的な標準規格を作ろうとする取り組みが始まった(図1)。Image Safety とは,映像が人間の身体に与える悪影響を防止することである。一般に,映像の急激な輝度変化や激しいフリッカはてんかんを誘発したり,手ぶれの大きな映像は映像酔いの原因になったりする。こ…
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ベベル
ベベル
Si ウエーハの端面および周辺の傾斜部をベベルと呼ぶ。このベベルに対応するプロセス装置や検査装置が相次いで登場している。ベベルの異物や膜の除去装置を,大日本スクリーン製造が2006 年10 月に,東京精密が11 月にそれぞれ発売した。これに続き,米KLA-Tencor Corp.が,ベベルの異物や欠…
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CTF
シーティーエフ
「CTF:Charge Trap Flash」と呼ぶ新構造のNAND型フラッシュ・メモリーが注目を集めている。既存の浮遊ゲート構造に置き換わるNAND型の新構造として,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が実現したためである。32GビットのCTF構造のNAND型を2006年…
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超臨界流体
チョウリンカイリュウタイ
「超臨界流体」をLSI 製造プロセスに活用する試みが,ここに来て大手LSI メーカーの間で活発化している
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SSTA
エスエスティーエー
SSTA(statistical static timing analyzer)は,パスの遅延時間を統計的に解析できるEDA(electronic design automation)ツールである。現在,パスの遅延時間解析に使っているSTA(static timing analyzer)では,パス上…
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ロバスト・トランジスタ
ロバスト・トランジスタ
製造バラつきがあっても確実に動作する新構造のトランジスタを開発する国家プロジェクトがスタートした。2006年度から始まった半導体MIRAIプロジェクトの新プログラム「ロバスト・トランジスタ」である。バラつきの問題に対しては,これまで回路レイアウトの工夫などで対策するDFM(design for ma…
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ソフトウェア・シミュレータ
ソフトウェア・シミュレータ
SoC(system on a chip)に集積するプロセサ・コアの動作をコンピュータ上で模擬する「ソフトウェア・シミュレータ」に関心が集まっている。ソフトウェア・シミュレータを使うと,そのコアで稼働するミドルウェアやアプリケーション・ソフトウェアを,開発の早期から検証できるようになる。
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ZnO
ゼットエヌオー/ジンクオキサイド
「開発の進ちょくが最も気になる材料」。大手デバイス・メーカーの技術者がこのように語る材料がある。透明でありながら半導体の特性を持つ酸化亜鉛(ZnO)である。
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研究開発ファウンドリ
ケンキュウカイハツファウンドリ
非競争領域ではなく,競争領域の研究開発コストを削減する「研究開発ファウンドリ」という事業が本格的に始まった。研究開発ファウンドリはユーザーの機密情報を守りながら,クリーン・ルームや装置を貸し出したり,新技術をユーザーと共同開発したりする。米SEMATECHの子会社である米Advanced Techn…
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SystemVerilog
システムベリログ
LSI設計で使うハードウェア記述言語「Verilog-HDL」を拡張した「SystemVerilog」が,IEEE Standard 1800として2005年11月に標準化された。LSI開発現場への適用も進んでいる。例えば2006年1月には2回目の「日本ユーザー・フォーラム」が開催された。2006…
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EES
イーイーエス
LSI生産の高効率化を目指した「EES(equipment engineering system)」と呼ぶ技術を量産現場に導入する動きが本格的に始まった。EESとは,LSI製造装置が正常に機能しているかどうかをデータでチェックし,装置の信頼性や生産性を向上させるシステムを指す。
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LER/LWR
エルイーアール エルダブリューアール
製造バラつきの一種であるLER(line edge roughness) やLWR(line width roughness)を減らすための技術開発が加速している。LERとは,ゲート電極のような微細パターンの壁面に出来た凹凸の大きさを表す値である。LWRは凹凸によって生じたパターン幅のバラつきを示し…
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独立ファウンドリ
ドクリツファウンドリ
日本版の独立ファウンドリを設立するための企画会社の設立が,2006年1月に正式に発表された。企画会社の資本金は当初1億円。日立製作所,ルネサステクノロジ,東芝の3社が共同出資した。それまで報道されてきた「共同ファブ」ではなく,「独立ファウンドリ」を目指している点が注目された。
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無機EL
ムキイーエル
無機EL(electroluminescence)が,蛍光管に代わる新光源や自発光型ディスプレイの有力な候補として急浮上している。従来とはケタ違いの高輝度,低駆動電圧,長寿命の面発光を実現できるようになったためである。
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PRAM
ピーラム
米Intel Corp.,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.,伊仏STMicroelectronics社。世界半導体ランキング上位の大手半導体メーカーが,フラッシュ・メモリーの後を継ぐ不揮発性メモリーとして,最有力視しているのが「PRAM(phase change RAM…
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16GビットNAND
ジュウロクギガビットナンド
2005年9月,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が,16GビットNAND型フラッシュ・メモリーを発表した。1999年以降,毎年「1年で2倍」の大容量化を6年間連続して実践してきたことになる。
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エリア・コントロール
エリアコントロール
エリア・コントロールとは,液晶パネルの画面を複数の領域に分割し,各領域の輝度を制御する技術である。