成型，印刷，接合によってフィルム基板に機能素子を集積，個片化して電子デバイスを作る「システム・オン・フィルム」が新たな製造技術として急浮上しました。応用分野は，電子ペーパーや太陽電池にとどまらず，FPD，半導体，無線タグ，MEMSなど，幅広い電子デバイスに及びます。製造するデバイスは，薄いフィルム基板を使っているために，軽く，薄く，曲げられるものです。次世代の電子デバイス製造プロセスの決定版ともいえる技術であり，このシステム・オン・フィルムを理解することが，開発競争に勝ち残る突破口となります。今回，システム・オン・フィルムの最前線を，各応用分野の第一人者が明らかにします。
| ■開催日： | 2009年3月19日（木） 10:00〜17:00 （開場9:30）予定 |
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| ■会場： | 東京コンファレンスセンター・品川 |
| ■主催： | NIKKEI MICRODEVICES |
| ■ 一般価格： | 42,000円 |
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10:00〜11:00
アンビエント・エレクトロニクスを実現するシステム・オン・フィルムの開発
東京大学
工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究センター 准教授
染谷 隆夫 氏
エレクトロニクス技術は，人間の生活空間に，デザイン性を損なわずに溶け込む「アンビエント・エレクトロニクス」に進化する。そこで必要になるのは，人間の全身を超える寸法の大面積デバイスや，それ以上の大面積の空間で分散して機能するデバイスである。フィルム基板を使って，面積当たりの単価が安く，消費電力が低く，無線で電力を送電できるといったデバイス技術，製造技術が求められる。こうした技術として，フィルム基板に印刷技術などで作った有機トランジスタや不揮発性有機メモリ，超音波イメージ・センサーなどを駆使したシート型デバイスの開発に成功している。
11:00〜12:00
システム・オン・フィルムが産業に与えるインパクト
野村総合研究所
コンサルティング事業本部 情報・通信コンサルティング部 上級コンサルタント
藤浪 啓 氏
フィルム基板や有機材料，印刷技術を多く使ったシステム・オン・フィルムの研究開発が進んできた。電子デバイスの製造プロセスを大きく変革する技術である。エレクトロニクス産業の今後の展望と，システム・オン・フィルムの発展の可能性，エレクトロニクス産業全体に与えるインパクトについて概説する。
12:00〜13:00
フィルム基板アモルファスSi太陽電池とロール・ツー・ロール製造技術
富士電機システムズ
熊本工場 設計部 次長
吉田 隆 氏
フィルム基板を使ったアモルファスSi太陽電池をロール・ツー・ロール製造プロセス（ステッピングロール製造プロセスを含む）で量産している。アモルファスSi層の厚さは0.5μm程度と薄いため，フィルム基板(〜50μm)と合わせても非常に薄い太陽電池を製造できる。さらに，太陽電池の直列接続構造を，基板に形成した貫通孔で形成する集積型直列接続構造を開発したことで，プロセスの簡略化を実現した。フィルム状アモルファスSi太陽電池とロール・ツー・ロール製造技術について解説する。
13:00〜13:45
昼食（主催者が用意いたします）
13:45〜14:45
ロール・ツー・ロールで形成したTFT液晶パネル
次世代モバイル用表示材料技術研究組合（TRADIM）
部長研究員
江口 敏正 氏
フィルム基板上に形成したTFTとカラー・フィルタを使って，ロール・ツー・ロールで連続的に組み立てたTFT液晶パネルを開発した。われわれはこれまでに，フレキシブル・カラー・フィルタやTFT基板など，主要なLCD用部材をロール状で作製する技術を開発しており，これらを用いてパネル化を行った。また，これまでに開発したその他のロール部材についても紹介する。
14:45〜15:45
フィルム上に形成した有機トランジスタ駆動の電子ペーパー
大日本印刷
研究開発センター 有機デバイス研究所
小林 弘典 氏
フィルム基板上に塗布や印刷技術を用いて形成した有機トランジスタを使い，アクティブ・マトリクス型電子ペーパーを作製した。開発した有機トランジスタの製造プロセスは，真空や高温加熱プロセスを必要としないため，環境負荷の低い新しいデバイスが実現できる。電子ペーパーには，高速応答の表示体である「QR-LPD」を組み合わせて，高速で画面の書き換えを可能にした。
15:45〜16:00
休憩
16:00〜17:00
フィルム基板上への印刷によるCNTトランジスタ
日本電気（NEC）
ナノエレクトロニクス研究所 主任研究員
二瓶 史行 氏
トランジスタの電極，絶縁膜，カーボン・ナノ・チューブ（CNT）チャネルなど， CNTトランジスタの全ての構成要素を印刷により形成した。中でも，CNTチャネルの形成に使うCNTインクとして，CNTの分散性と低温での揮発性を両立する材料と調合方法を開発したことにより，200℃以下と低い処理温度を実現した。これによって，高温での形成が難しいプラスチック基板の使用が可能になった。
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