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白色発光ダイオード（LED）の発光効率は，小出力品で100lm/Wを超えました。大出力品の白色LEDおよび4元系LEDは，1個当たり取り出せる光束が数百lmに達しています。LEDの用途として，いよいよ一般照明器具や自動車のヘッドランプが現実的になりました。今回のシンポジウムでは，主要LEDメーカーや，照明機器や車載機器のメーカー，LEDの部材メーカーから専門家を講師に迎え，白色LEDをはじめとする高出力LEDの最新動向を踏まえつつ，一般照明器具や車載機器などでの高出力LEDの使いこなし技術，さらには一層の高輝度化や生産性向上を進めるための部材の最新動向を紹介します。ぜひご参加ください。
| ■日時： | 2007年6月14日(木)-15日（金） 10：00〜17：00予定 （開場9：30予定） |
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| ■会場： | ベルサール神田（東京都千代田区） |
| ■主催： | 日経エレクトロニクス/NIKKEI MICRODEVICES |
| ■受講料： | 68,000円 |
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| 【特典】受講者すべての方に「日経エレクトロニクス」（1年27冊），「NIKKEI MICRODEVICES」（1年13冊）の２誌が付きます。 | |
| ※ 満席になり次第，申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申込ください。 | |
6月14日 1日目
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■ LEDの高出力化や高効率化に向けた最新技術動向
10:00-10:50
フィリップス・ルミレッズの最新のLEDとそれを可能とする最先端技術米Philips Lumileds Lighting Co. 赤色や橙色LEDに加わり，白色LEDや青色・緑色LEDが実用化されてすでに約10年が経つが，LEDの高効率化・高出力化はとどまる気配を見せず急速に進み続け，ついに，その性能は蛍光灯を追い越しつつある。また，様々な応用に対応すべく，新しいパッケージの開発も進み，それらを支える技術も大きく進歩している。本講演では，蛍光灯を駆逐すべく開発されたPhilips Lumileds社の最新LEDと，それを可能とする最先端技術に関して解説する。
11:00-11:50
一般照明に向けた高輝度・高効率な白色LEDオスラム オプトセミコンダクターズ 「ThinGaN」と呼ぶチップ技術に基づき，投入電力1WのGolden DRAGON，3Wの Platinum DRAGON，10W/15WのOSTAR-Lightingなど，高出力な白色LEDを製品化している。ThinGaN技術ではチップから取り出される光のうち，実に97%以上がチップ上面 から放出され，光学部品を使った配光制御との相性が良い。さらにチップや蛍光 体，パッケージ技術を改良することで，1個の白色LEDから1000lmもの光束を得る ことにも成功した。当社技術について紹介する。
11:50-13:00 昼食休憩
13:00-13:50
照明用の標準光源に向けて〜最近1年間のLEDの進化米Cree，Inc. LEDが白色市場に対して大きな可能性を秘めていることは広く知られており，多くのメーカーや研究機関がさまざまな方面からアプローチしている。ただし，この白色市場を広げるために必要となる高い技術水準についてはあまり知られていない。講演では，Cree社のLED技術の特徴を紹介すると共に，発光効率を向上させるために取り組んでいる技術，白色光を得る各種手法やパッケージ技術，演色指数などLEDの性能を決める技術を説明する。
14:00-14:50
LEDが切り開く素晴らしい新世界：実現に向けて開発に取り組む技術の数々台湾Arima Optoelectronics Corp. 材料やLED構造，実装，製造などの観点から，LEDに求められる課題を議論する。材料や構造については理想的な状態に如何に近づけるのかがカギになる。フリップチップ実装にするのか，ワイヤ接続なのかといった，対応させる実装手段によって，チップ構造や製造方法を最適化しなければならない。歩留まり確保も重要だ。これらの課題を踏まえ，当社がこれまで取り組み，今後取り組もうとしているLED技術を紹介する。
14:50-15:10 休憩
15:10-16:00
さまざまな用途や要求事項に合わせてLEDチップを創出台湾Epistar Corp. LEDは表示用途に限らず，液晶パネルのバックライトや照明機器，車載機器など応用範囲が広まりつつある。必要な光束は0.01lmとわずかな明るさか ら，1000lmまで幅広い。その要求に応えるため，当社はAlInGap系LEDでは投入電流30mA〜400mA，InGaN系LEDでは同 15mA〜350mAと各種用意している。講演では，さらなる明るさ向上やチップ薄型化，フォトニック結晶による放射角の調整，基板張り合わせによる熱抵 抗低減などに向けた最新の技術開発動向を説明する。
16:10-17:00
高出力LEDとアクリチ（Acriche）韓国Seoul Semiconductor Co., Ltd. 環境および省エネルギーについての関心が高まっており，LEDが次世代光源として脚光を浴びている。LEDの明るさの改善による応用先も広がり，照明市場にまで拡大している。現在，脚光を浴びている高出力LEDで考慮すべき事項などを説明しながら，Seoul Semiconductor社で生産しているP4＆Acricheについてご紹介する。 |
6月15日 2日目
トラックA : LED応用編 |
トラックB : 装置・部材編 |
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10:00-10:50
総合効率50lm/Wを実現したLED照明器具「E-CORE」東芝ライテック 照明用光源はエジソンの炭素フィラメント電球の発明から常に白い光を追求してきた。白色LEDが実用化され，照明用光源として省エネ光源として大きく期 待されているLED光源を本格普及に向けたLED照明器具「E−CORE」を紹介する。「ライティング・フェア 2007」で発表した高効率LEDダウンライトE−COREの 商品化にいたる経緯や高効率を実現した技術，将来展望について説明させていただく。
11:00-11:50
Schott社における特殊照明に向けたLED応用と将来展望ドイツSchott AG Schott社のLED応用製品は，光ファイバの照明技術と顧客からの要求への対応がノウハウになってきた。今回の発表では，当社技術を駆使して上市，または開発中の 顕微鏡，ライン，航空機の読書灯，自動車の室内照明など各種照明への応用を紹介する。
11:50-13:00 昼食休憩
13:00-13:50
独自の光学技術を駆使した白色ＬＥＤの現状と将来展望スタンレー電気 LEDチップは日進月歩で進化しており，次々に明るいLEDチップが登場している。それにつれて，光学技術を駆使して明るいLEDチップを、使いこなす技術力が問われるようになってきた。車載機器や照明機器，各種表示機などに向けて，光学技術を駆使した高出力LEDの使いこなし技術の最新動向や将来展望をご紹介する。
14:00-14:50
照明用LEDにおける高出力／高効率パッケージの現状と将来展望シチズン電子 シチズン電子では，照明用途に向けた高出力の白色LEDを展開している。最近では，白熱電球並みの光束540lmを取り出せる品種の開発に成功した。発光効率も70lm/Wを超える。さらなる高出力化・高効率化や，演色性の向上も進めている。講演では最新の白色LEDとともに，照明用途への採用例や今後のロードマップを紹介する。
14:50-15:10 休憩
15:10-16:00
パワーLED用放熱基板の技術動向及び今後の展開電気化学工業 パワーLED用基板として，最有力候補であるメタル・ベース基板の技術トレンド及び適用例についてシミュレーションを交えて紹介・解説する。また，パワーLEDパッケージには通常セラミック基板が使用されている。今回の講演では，これらのセラミック・パッケージに比べて安価で，かつ，高信頼性を有した樹脂系LEDパッケージ材料（新基板など）についても併せて解説する。
16:10-17:00
LED照明の最新技術動向と照明器具への展開松下電工 LED照明の基礎と特長，そしてLED応用商品の変遷や最近の商品を紹介する。それらを踏まえ，普及に向けた課題を考える。さらに，当社が展開するLED照明製品「MFORCE」の特徴や納入事例を紹介し，今後のLED照明を展開する方向性を示す。加えて，規格化へ向けた活動や，照明器具のLED化によるCO2削減効果といった，LED照明の普及に向けた業界団体であるLED照明推進協議会（JLEDS）の取り組みを紹介する。 |
10:00-10:50
高光束・高演色白色LED照明デバイスの実装と国際動向山口大学大学院 光束1000 lm，平均演色評価数97以上の高性能白色LED照明デバイスの実現に向けて，チップ特性、蛍光体・樹脂組み合わせ技術開発の現状と国際情勢について概観する。また11月に開催される第1回白色LED固体照明国際学会のトピックスなどを紹介する。
10:50-11:50
高輝度LEDへ向けた新しいプロセス技術東北大学 LED構造は，現在主流となっている平面電極型LED構造，高輝度LED用のフリップ・チップ型LED構造から超高輝度の縦型LED構造へと進化しつつある。それに伴って，新しいプロセス技術の開発が緊急の課題となっている。縦型LED構造の作製には，（1）伝導性基板（GaN，SiCなど）を用いる，（2）レーザー・リフトオフ法を用いる，などの方法がある。伝導性基板を用いる方法は基板が高価格のために，デバイス低価格化の障害となっている。レーザー・リフトオフでは，スルー・プットの問題，レーザー・リフトオフ過程での結晶損傷の問題がある。最近，われわれは第3のプロセス技術としてケミカル・リフトオフ法を開発し，縦型LED構造を試作した。
11:50-12:50 昼食休憩
12:50-13:35
高品質サファイア基板の精密加工インターオプテック 高輝度.高出力LED，通信，電子デバイス用単結晶サファイア基板に関して，原子レベルで平たん膜を得るにはどのような結晶品質，表面性状，極性，結晶方位が可能かを解説する。また従来のC面に加えてA面，M面，R面など，異なる結晶面でナノ・ステップ構造を得る必要性が叫ばれており，これらについて実例を示す。
13:35-14:20
LEDチップ化工程の最新技術，高輝度化に有利なスクライブ・カット法テクダイヤ 市場における，LEDチップ化工程の一般を説明する。特に，チップ分離化の際の技術，スクライブ・テクニックについて解説する。現状では，レーザーカットとスクライブカットが存在するが，輝度の面では，スクライブが優位といわれている。この実際と，その工法について説明する。
14:20-15:05
大出力LEDの量産と歩留まり向上を目指すMOCVD装置大陽日酸 大出力LEDではAl合金窒化物半導体を自由に使いこなすことが求められる。またヘテロ界面の品質の維持のためには各層を連続的に形成することが重要である。すなわち大気圧でも自由にAl合金窒化物半導体の成長が可能で，スループットの大きな大型装置が求められる。同時に，装置の安定的な運転には，反応堆積物のクリーニングを効率的に行うことが必要である。本講演では，3インチ基板8枚を同時成長可能な「SR23K」型MOCVD装置を紹介する。SR23KではGaNを30μm/h以上の高速で大気圧成長可能であり，10％のAl組成のAlGaNの大気圧成長でも１μm/h以上の成長速度を実現している。併せて，反応炉部品の洗浄用ガスクリーニング装置についても紹介する。
15:05-15:30 休憩
15:30-16:15
高輝度LED向けシリコーン樹脂材料の高信頼性化モメンティブ･パフォーマンス･マテリアルズ 高輝度LEDの材料としてシリコーン樹脂の需要が拡大している。封止材やレンズ材料として，シリコーン樹脂は透明性が高いとともに，従来のエポキシ樹脂やアクリル樹脂より耐熱性，耐UV性に優れるためである。また，パッケージのアセンブリ段階の放熱材料としても，シリコーン製放熱材料の使用が増えている。LEDチップの高出力化，パッケージ・デザインの多様化，アプリケーションの増加に 伴って，使用する樹脂に対する要求特性は厳しくなり，しかも複雑化している。このような要求に答えるために，新たな信頼性の高いシリコーン樹脂製品の開発を進めている。
16:15-17:00
高出力用途向けLEDの放熱材料や部材の動向
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※講演時刻等、随時更新いたします。
※プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。
※海外講師の講演には，同時通訳が付きます（英→日）。
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