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東芝、GaN-MOSFETのゲート絶縁膜の新プロセス技術

  • 小島 郁太郎
  • 2017/12/11 08:02
  • 1/1ページ
東芝は、GaN-MOSFETのゲート絶縁膜プロセス技術を開発した。今回の技術により、閾値電圧変動が縮小するなど、特性が改善し、信頼性が向上するという。同社は、開発技術の詳細を国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting) 2017」で発表した。

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