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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 単結晶ダイヤモンドとSiC基板を常温で接合、富士通らが新技術

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単結晶ダイヤモンドとSiC基板を常温で接合、富士通らが新技術

5Gで使うGaN-HEMTの熱抵抗が従来の61%に低減

  • 小島 郁太郎
  • 2017/12/11 08:06
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富士通と富士通研究所は、SiC基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発した。両社によれば、同技術の開発は世界で初めてだという。5G(第5世代移動通信)で使う高出力GaN HEMTの放熱に同技術を活用することで、高出力での安定動作が可能になるとする。

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