韓国Samsung Electronics社は、2016年9月21日に発表したSSDの新製品「960 PRO」で、80mm×22mmと小さいモジュール寸法でありながら2Tバイトのストレージ容量を実現した（関連記事）。「M.2規格（フォームファクター）で2Tバイトの容量を達成したのは世界初」（Samsung社）と、SSDの高密度化で業界の先頭を走っていると主張する。
今回、Samsung社はどういった要素技術を駆使して、この超小型SSDを実現したのか――。同社は、2016年9月21日にソウルで開催したSSD技術の発表イベント「Samsung SSD Global Summit 2016」で、ポイントになる技術を3つ明らかにした。第1に、3次元フラッシュメモリー「V-NAND」技術により、チップ当たり32Gバイト（256Gビット）の大容量化を実現したことが挙げられる（図1）。MLC（multi level cell）技術を活用した第3世代のV-NANDである。チップ当たり48層のメモリーセルを縦積みしているもようだ。
第2のポイントが、32GバイトのV-NANDチップ自体をパッケージ内で16個積層する高密度実装技術である（図2）。活用した高密度実装技術の詳細は明らかにしなかったが、プレゼンで見せたスライドを見る限り、ワイヤ・ボンディング技術により16チップ積層を実現しているとみられる。これにより、パッケージ当たり512Gバイトのストレージ容量を達成。このパッケージをモジュール内で4個平置きすることで2Tバイトのストレージ容量を実現した（図3）。
第3のポイントは、メモリー・コントローラーICのパッケージとDRAMのパッケージを積層するPoP（package on package）技術である（図4）。これも高密度実装技術の1つである。「従来のようにメモリー・コントローラーとDRAMを平置きしていては、M.2フォームファクターで2Tバイトのストレージ容量を実現することは難しかった。スペースが足りないからだ。そこで今回、PoP技術を使って、コントローラーのパッケージの上にDRAMのパッケージを積むことにした」（Samsung社）という。
