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HOMEエネルギーパワーエレクトロニクス > SiCのオペアンプ、放射線耐性がSi比100倍

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SiCのオペアンプ、放射線耐性がSi比100倍

日立製作所が開発

  • 根津 禎
  • 2017/09/14 21:50
  • 1/1ページ
 日立製作所は、SiC(シリコンカーバイト、炭化ケイ素)を利用したCMOS集積回路技術を開発した。SiCは、ディスクリートのパワーデバイスとして利用されるのが一般的。今回のような集積回路に用いるのは珍しい。

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