ポスター発表会場 筆者が撮影。
ポスター発表会場 筆者が撮影。
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 半導体インターコネクト(配線)技術に関する国際会議「IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) 2016」(IEEE Electron Device Society主催)が、2016年5月23~26日に米国サンノゼで開催された(写真)。2年ぶりの米国開催で参加者は230名を超え、活発な議論が繰り広げられた。

 IITC 2016の論文数は基調講演を含む一般講演が45件、ポスター発表が33件であった。一般講演の分野別では、シリサイド周りを含む「MUP(Materials and Unit Processes)-Metal」分野が36%と最も多く、次いで「MUP-ILD(絶縁膜)」分野が16%と、AMC(Advanced Metallization Conference)との共催の効果が出ていた。その次は「Process Integration」分野と「Novel Systems」分野が各14%、そして「3DSystems」分野が12%、「Reliability」分野が9%であった。機関別では、産業界が37%、大学が29%、残りが研究機関だった。昨年より産業界からの論文が増えて、内容も5nm世代に向けたより現実的な技術となっていることが特徴である。

 本会議の前日にワークショップが開催され、学会参加費用にワークショップの参加費用も含まれていたため、多くの聴衆で賑わった。Cu配線の代替技術や新規輸送方式、脳型コンピューター等について最新の研究結果を報告した。翌日からの本会議では、上述した分野に分けて論文が口頭発表された。Keynote(基調講演)、Process Integration、MUP-ILD、MUP-Metal、Reliability、Contact & Silicide、3D Systemsである。以降、ワークショップおよび本会議での講演内容について報告する。