中央大学 理工学部 教授の竹内健氏のグループは、大容量で低コストの3ビット/セルの多値技術を利用したフラッシュメモリー、いわゆるTLC（triple level cell）フラッシュメモリーについて、信頼性の向上と高性能化を図る技術を開発した（図1）。読み出しに伴うエラーを85％削減し、読み出し可能な回数を6.7倍に増加させることに成功した。今回、データの特徴（アクセス頻度など）をメモリーが自動的に判別し、データを特徴別に異なるメモリー領域に格納し、最適な読み出し電圧を印加することにより、読み出しに伴うエラーの削減と読み出し可能回数の増加を可能にしている。2016年6月13～16日にホノルルで開催される「IEEE Symposium on VLSI Technology」で発表する。
1つのメモリー・セルに3ビットの情報を格納するTLCフラッシュメモリーは、2ビット/セルのMLC（multi level cell）フラッシュメモリーに比べて大容量・低コストという利点がある反面、メモリー・セルに蓄えた電子がリークすることでエラーが発生しやすいという問題があった。そのため、TLCフラッシュメモリーはスマートフォンやタブレット端末では多く使われているが、高い信頼性が求められるクラウドデータセンターや企業向けストレージでは限定的な利用にとどまっていた。今回の技術を発展させることで安定した読み出しが可能になり、メモリーのさらなる高信頼化・高速化を実現でき、フラッシュメモリーの次の主力市場として期待されるクラウドデータセンターの記憶媒体としての利用が期待できる。
クラウドデータセンターにはアクセス（読み出し）が頻繁に行われるデータ（ホットデータ）から、ほとんど読み出しが行われないデータ（コールドデータ）まで、さまざまなデータが格納されている（図2）。TLCフラッシュメモリーは、メモリー・セルの浮遊ゲートに蓄えられる電子の数（2の3乗）により、8個の異なる状態で3ビット分のデータを保持する。それぞれの状態の違いは、しきい値電圧という、トランジスタ電流のオン/オフが切り替わる時の電圧の値で表現される。そして、メモリー・セルを読みだす際には、それぞれの状態のしきい値状態の中間の電圧値を印加し、電流が流れるか否か（0か1か）で記憶されているデータを判別する。
