空間反転対称性の破れに基づく超伝導ダイオード

(図:東京大学のニュースリリースより)

■ニ硫化モリブデン(MoS2)を用いた電気二重層トランジスタ構造。MoS2薄膜の厚さは約20nm。正の電圧を加えることでMoS2の表面(原子層1層分の厚さ)のみ電子が蓄積する

(図:東京大学のニュースリリースより)

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