左から産総研の清水氏、名古屋大学の天野氏、産総研の安永氏
左から産総研の清水氏、名古屋大学の天野氏、産総研の安永氏
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名古屋大学の天野氏
名古屋大学の天野氏
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　産業技術総合研究所（産総研）は名古屋大学と共同で、「産総研・名大 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」（以下、GaN-OIL）を2016年4月１日に設立した。GaN系半導体の材料物性や基礎プロセスといった基礎研究に強みを持つ名古屋大学と、デバイス化（素子作製）技術や評価・解析技術に強みを持つ産総研がタッグを組むことで、GaN系半導体を用いたパワー素子や、新しい発光素子の早期実用化を目指す。GaN-OILの活動で得られた成果で特許を取り、それを企業にライセンスしたり、その成果を基にベンチャーを起業したりすることを想定している。

　GaN-OIL設立に伴い、2016年4月12日に名古屋大学で報道機関向け説明会や記念式典などが開催された。同大学教授で、2014年のノーベル物理学賞を受賞した天野浩氏が登壇し、GaNを利用した研究開発の意義などを強調した。