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HOMEエネルギーパワーエレクトロニクス > SiCパワー半導体用の接合部が自己修復、製品寿命を改善

ニュース

SiCパワー半導体用の接合部が自己修復、製品寿命を改善

  • 工藤 宗介=技術ライター
  • 2016/03/30 11:13
  • 1/1ページ
 大阪大学とデンソーは2016年3月28日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)プロジェクトにおいて、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の長期信頼性向上が期待できる接合材の自己修復現象を発見したと発表した。高温の機器動作環境下で、接合材に使った銀焼結材の亀裂が自己修復するというもので、自動車分野などへのSiCパワー半導体の適用可能性を大きく高めるという。

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