東芝は、オン抵抗を削減した＋40V/＋45V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを発売した。同社の低耐圧nチャネル型パワーMOSFET製品群「U-MOS IX-Hシリーズ」に含まれるもので、今回は＋40V耐圧品を9製品、＋45V耐圧品を5製品投入した。同社最新のプロセス技術「U-MOS IX-H」で製造することで、オン抵抗とゲート電荷量の積である性能指数（FOM：Figure of Merit）を低減した。同社によると「低オン抵抗と高速スイッチングについては、業界トップクラスの性能を実現した」という。さらに、スイッチング動作時に発生するスパイクやリンギングを抑えるセル構造を採用したため、スイッチング雑音を低く抑えられ、放射電磁雑音（EMI）を低減できるとする。産業機器や民生機器に搭載するDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーター（スイッチング電源）、モーター駆動回路などに向ける。
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