東芝は、実装面積が2.9mm×2.8mmと小さいTSOP6Fパッケージに封止したMOSFET「SSM6J801R」を開発し、サンプル出荷を始めた。量産は、2016年12月末に開始する予定だ。pチャネル型で、耐圧は−20Vである。パッケージの実装面積とランドパターンは同社従来品で使用していたSOT-457パッケージと同じだが、TSOP6Fの許容損失は1.5Wと高い。一般的なSOT-457の許容損失は0.3Wだった。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに25mΩ(標準値)、−2.5Vのときに31mΩ(標準値)、−1.5Vのときに47mΩ(標準値)と低い。スマートフォンやタブレット端末などの充電回路向け負荷スイッチなどに向ける。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。