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Vishay、オン抵抗が0.58mΩと小さい25V耐圧MOSFET

  • 山下 勝己
  • 2017/11/29 12:39
  • 1/1ページ
 米Vishay Intertechnology社は、オン抵抗が0.58mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と小さい+25V耐圧のパワーMOSFET「SiRA20DP」を発売した。nチャネル品。パッケージは、実装面積が6mm×5mmのPowerPAK SO-8である。全ゲート容量は61nC(標準値)と小さい。同社によると「オン抵抗は、市場で入手できる+25V耐圧のパワーMOSFETの中で最小であり、競合他社品に比べて11%以上低い」(同社)という。オン抵抗と全ゲート容量の積で求まる性能指数(FOM:Figure Of Merit)は0.035Ω×nCである。「FOMは、競合他社品に比べて32%少ない」(同社)としている。同期整流回路や、降圧型DC-DCコンバーター回路、オアリング(ORing)回路、負荷スイッチ、バッテリーマネジメント回路などに向ける。

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