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「600V耐圧のパワー素子はGaNで」、Nexperiaが明らかに

  • 山下 勝己
  • 2017/09/06 08:29
  • 1/1ページ
 ディスクリート半導体メーカーであるオランダNexperia社は、2017年9月5日に都内で記者会見を開催し、+600V耐圧のパワーデバイスはGaN(窒化ガリウム)で対応していくことを明らかにした。これは、「今後、電気自動車などに搭載する高耐圧パワー半導体には、どのように取り組んでいくのか」という質問に答えたもの。同社のMOSディスクリート・ビジネス・グループでゼネラルマネージャーを務めるJulian Humphreys氏は、「48Vシステムについては、80〜100V耐圧のパワーデバイスが必要で、それにはSiパワーMOSFETで対応する。一方、モーター駆動用インバーターに搭載するパワーデバイスは600Vを超える耐圧のパワーデバイスが必要だ。現状では、IGBTの開発は手掛けておらず、GaNパワーデバイスで対応すべく、開発を進めている」という。

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