米MACOM Technology Solutions社は、最大で79%と高い効率が得られるRFパワートランジスタ「MAGb-101822-240B0P/MAGb-101822-120B0P」を発売した。Si(シリコン)基板上にGaNパワートランジスタ素子を作り込んだもので、同社の第4世代のGaN技術で製造した。Si材料で製造したLDMOS(Laterally Diffused MOS)パワートランジスタと比べると、効率を10%高められるという。無線通信基地局などに向ける。
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